Oracle Sun Storage F5100 闪存阵列拥有创纪录的极高性能，可提供一种新方法来解决减缓现代企业应用的存储性能问题。该系统以一个机架单元 (1U) 的空间提供超过100 万的每秒I/O 操作(IOPS)，功耗仅为300 瓦，能够帮助消除存储瓶颈，减少延迟，并提高响应时间，同时节省数据中心资源。其功耗和空间需求比传统硬盘解决方案低100 倍，能够让您获得高水平的事务处理扩展能力，同时又能降低运营成本。

    Oracle/Sun F5100 闪存阵列规格

　　(1)20 个闪存模块

　　容量：480 GB

　　域： 4

　　I/O 性能

　　随机读取IOPS (4K)： 397 K IOPS

　　随机写入IOPS (4K)： 304 K IOPS

　　吞吐量

　　顺序读取速率： 3.2 GB/秒

　　顺序写入速率： 2.4 GB/秒

　　延迟

　　读取延迟： 0.378 毫秒

　　写入延迟： 0.245 毫秒

　　接口

　　端口： 16 x 4 宽SAS-1(64 通道)

　　分区 ：是

    功耗

　　输入：100 V-120 V AC 或200V-240 V AC

　　闲置： 129瓦

　　工作： 228瓦

　　电源备份： 4个电能存储模块

　　(2)40个闪存模块

　　容量：960 GB

　　域： 4

　　I/O 性能

　　随机读取IOPS (4K)： 795 K IOPS

　　随机写入IOPS (4K)： 610 K IOPS

　　吞吐量

　　顺序读取速率： 6.4 GB/秒

　　顺序写入速率： 4.8 GB/秒

　　延迟

　　读取延迟： 0.378 毫秒

　　写入延迟： 0.245 毫秒

　　接口

　　端口： 16 x 4 宽SAS-1(64 通道)

　　分区 ：是

　　功耗

　　输入：100 V-120 V AC 或200V-240 V AC

　　闲置： 129 瓦

　　工作： 228 瓦

　　电源备份： 4个电能存储模块 (ESM)

　　输入：100 V-120 V AC 或200V-240 V AC

　　闲置： 157瓦

　　工作： 281瓦

　　电源备份： 4 个ESM

　　(3)80个闪存模块

　　容量：1,920 GB

　　域：4

　　I/O 性能

　　随机读取IOPS (4K)： 1.6 M IOPS

　　随机写入IOPS (4K)： 1.2 M IOPS

　　吞吐量

　　顺序读取速率： 12.8 GB/秒

　　顺序写入速率： 9.7 GB/秒

　　延迟

　　读取延迟： 0.378 毫秒

　　写入延迟： 0.245 毫秒

　　接口

　　端口： 16 x 4 宽SAS-1(64 通道)

　　分区 ：是

　　功耗

　　输入：100 V-120 V AC 或200V-240 V AC

　　闲置： 213瓦

　　工作： 386瓦

　　电源备份： 4个ESM

　　可靠性

　　耐用性(50%读 / 50%写)：大约6 年

　　冗余电源和风扇： 有

　　物理尺寸

　　高度： 1.746 英寸(44 毫米)– 1U

　　宽度： 16.750 英寸(425 毫米)

　　深度： 28.125 英寸(714 毫米)

　　重量： 35磅(15.9 千克)

　　环境

　　温度： 工作时：5°C 至35°C;非工作时：? 40°C 至65°C

　　相对湿度： 工作时：10%-90%，高27°C;非工作时：10%-93%，高35°C

　　海拔高度： 工作时：3,000 米;非工作时：12,000 米

　　噪声： 55.4分贝

　　管理

　　管理： Sun StorageTek CAM

　　主机总线适配器(HBA) 性能：需要新型HBA 固件(1.27.03 版)来支持佳的Sun Storage F5100 闪存阵列性能